用途：
作为半导体器件电力半导体的扩散工艺的氧化工艺。 |
特点：
控温精度高、恒温区长、升温快、功耗小、结构紧凑、性能可靠，由于采用了新工艺，我厂扩散炉使用的最高温度可达1300℃。 |
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型号 |
口径 |
恒温区长度及精度 |
升温功率 |
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ZKLI/2F |
φ100mm |
600mm/±0.5℃ |
10KVA |
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ZKLI/2F |
φ120mm |
600mm/±0.5℃ |
10KVA |
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ZKLI/2F |
φ140mm |
600mm/±0.5℃ |
12KVA |
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ZKLI/2F |
φ160mm |
600mm/±0.5℃ |
13KVA |
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ZKLI/2F |
φ180mm |
600mm/±0.5℃ |
16KVA |
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ZKLI/2F |
φ200mm |
600mm/±0.5℃ |
21KVA |
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等温区精度：≤±0.5℃ 定值重复性：≤±0.5℃
等温区稳定性：≤±0.5℃/24小时 开机重复性：≤±0.5℃
单点精度：≤±0.5℃/24小时 升温时间室温：1200℃/小时
升温稳定时间：≤2小时 恒温功率：≤4KVA
电网波动影响： （200伏+10%）≤±0.5℃ |
